  |
|
||||||||||||
 Новости Нужна антенна? Просто пшикни из баллончика! Новый подход в тестировании объемных кристаллов Семь университетов США пытаются создать квантовую память Петербургский метрополитен переходит на российские светодиоды
Российский рынок электроники 2011/2012: итоги и прогнозы США – самая вредоносная страна в мире Комиссия за участие в сети не взымается.
Новый стратегический план развития полупроводниковых технологий (ITRS)
РанееКомплект программного обеспечения для медицинской визуализацииПредставлены новые алгоритмы обработки изображений и укороченное время разработки для проектирования OEM на ЦСП C64x Новые безвыводные корпуса для дискретных компонентовNXP Semiconductors объявила о выпуске двух новых безвыводных корпусов для малосигнальных дискретных компонентов размером 2х2 мм с высотой всего 0,65 мм. Linaro: последний бой между ARM и ATOMКомпании ARM, Freescale, IBM, Samsung, ST-Ericsson и Texas Instruments объявили о создании компании Linaro, цель которой – усовершенствование программного обеспечения под Linux-дистрибутивы, такие как Android, MeeGo, webOS и Ubuntu. |
21 июня 32 нм техпроцесс для радиочастотных устройствНа прошлой неделе на симпозиуме VLSI Circuits на Гавайях, корпорация Intel объявила о возможности создания СнК и РЧ-устрйоств по 32-нм технологии. Ее основу составляют транзисторы с диэлектриками high-k и металлическими затворами второго поколения.Н
ачиная с прошлого года, Intel начала поставлять микропроцессоры на основе 32-нм технологии. Это уже третий 32-нм технологический процесс от Intel. Первым был для процессоров, а второй для систем на кристалле. Как заявил Майк Майберри (Mike Mayberry ), вице президент и директор по исследованию компонентов Intel, третий предназначен для РЧ-устройств и СнК. На презентации было отмечено, что особенностью технологического процесса являются низкие токи утечки и отличные рабочие характеристики. Intel утверждает, что при NMOS-технологии достигается частота срезам fT при 420 ГГц. А при низкой утечки 30pA/um, эта частота составляет: 218 ГГц. Теперь, когда по 32-нм технологии создаются транзисторы с высоким напряжением пробоя, возможно и производство усилителей мощности в WiFi, WiMAX, сотовых и GPS устройствах.
Источник: EETimes
function AddBookmark(url, title) {
if (window.sidebar) { // Mozilla Firefox Bookmark
window.sidebar.addPanel(title, url, "");
} else if( window.external ) { // IE Favorite
window.external.AddFavorite( url, title); }
else if(window.opera && window.print) { // Opera Hotlist
return true;
}
}
-->
function ShowRecommend() {
d = document.getElementById('recommendDiv');
if (d) {
display = d.style.display;
newValue = 'none';
switch (display) {
case 'none':
newValue = 'block';
break;
default:
newValue = 'none';
break;
}
d.style.display = newValue;
}
}
-->
Комментарии0 / 0
0 / 0
|
   Комментарии читателейГорячие темыСША – самая вредоносная страна в мире Нужна антенна? Просто пшикни из баллончика! Может ли один «Микрон» обеспечить технологическую безопасность России? WiMAX в России умер? Да будет LTE! Intel раскрывает секреты процессоров Ivy Bridge и откладывает их выпуск на лето |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
Кремниевая долина: возрождение Америки?
