|
|
|
||||||||||||
Новости Нужна антенна? Просто пшикни из баллончика! Новый подход в тестировании объемных кристаллов Семь университетов США пытаются создать квантовую память Петербургский метрополитен переходит на российские светодиоды
Российский рынок электроники 2011/2012: итоги и прогнозы США – самая вредоносная страна в мире Комиссия за участие в сети не взымается.
Новый стратегический план развития полупроводниковых технологий (ITRS)
РанееIntel будет использовать трехмерные транзисторы в новых процессорахКрупнейший в мире производитель микропроцессоров корпорация Intel анонсировал принципиально новую технологию изготовления чипов с трехмерной структурой транзисторов, сообщила компания в среду. Будущее-2050: автомобили смогут разговаривать с домамиГазета Die Zeit публикует интервью с автором книги «Будущее 2050» Ульрихом Эберлем - физиком, занимающимся вопросами инноваций в компании Siemens. Intel разработала альтернативу стандарту USBКорпорация Intel официально представила альтернативу стандарту USB. Новая технология проводной передачи данных получила название Thunderbolt, сообщается в официальном пресс-релизе. |
17 мая Тактовую частоту можно повысить за счет нового физического явленияИсследователи из Массачусетского технологического института (МТИ) и их коллеги из немецкого Университета Аугсбурга сообщили об открытии нового физического явления, которое позволит значительно увеличить емкость транзисторов, что, в свою очередь, повысит тактовую частоту или вычислительную мощность устройств.
Предметом исследования стал алюминат лантана, состоявший из чередующихся слоев оксидов лантана и алюминия. Лантановые слои несут небольшой положительный, а алюминиевые – отрицательный заряды. В результате сложения электрических полей между верхней и нижней частями структуры создается потенциал. Алюминат лантана и титанат стронция считаются отличными изоляторами, которые не проводят электрического тока. Однако достаточно толстый слой алюмината лантана его электрический потенциал нарастает до величины, позволяющей электронам перемещаться с верхней части структуры к нижней. В результате в месте соединения структуры с титанатом стронция возникает проводящий канал, что во многом напоминает процесс включения транзистора. Инженеры измерили емкость между этим каналом и электродом затвора в верхней части структуры алюмината лантана. Учитывая, что полученные результаты были отчасти ограничены возможностями экспериментального оборудования, был сделан вывод о том, что незначительное изменение напряжения может привести к протеканию большого заряда по каналу между этими двумя материалами. К удивлению исследователей, было установлено, что этот канал работает при комнатной температуре. При этом емкость структуры настолько велика, что не поддается описанию с использованием представлений современной физики. Нечто подобное наблюдалось в очень чистых полупроводниковых структурах, однако этот эффект был очень незначительным. Напротив, несмотря на то, что экспериментальные образцы алюмината лантана и титаната стронция были загрязненными, эффект образования канала проводимости оказался весьма заметным. Возможно, исследователи стали свидетелями возникновения нового квантово-механического эффекта или неизвестного физического явления. Несмотря на то, что по каналу между двумя материалами перемещается очень большой заряд, его скорость слишком мала для тех частот переключения, которые используются в компьютерных кристаллах. Исследователи МИТ утверждают, что более чистые образцы материалов обладают меньшим электрическим сопротивлением. Кроме того, возможно, после того как ученые поймут природу этого эффекта, им удастся его воссоздать с использованием других более распространенных материалов. Результаты этого исследования был опубликованы на прошлой неделе в журнале Science. Источник: EDN
function AddBookmark(url, title) {
if (window.sidebar) { // Mozilla Firefox Bookmark
window.sidebar.addPanel(title, url, "");
} else if( window.external ) { // IE Favorite
window.external.AddFavorite( url, title); }
else if(window.opera && window.print) { // Opera Hotlist
return true;
}
}
-->
function ShowRecommend() {
d = document.getElementById('recommendDiv');
if (d) {
display = d.style.display;
newValue = 'none';
switch (display) {
case 'none':
newValue = 'block';
break;
default:
newValue = 'none';
break;
}
d.style.display = newValue;
}
}
-->
Комментарии0 / 0
0 / 0
|
Комментарии читателейГорячие темыСША – самая вредоносная страна в мире Нужна антенна? Просто пшикни из баллончика! Может ли один «Микрон» обеспечить технологическую безопасность России? WiMAX в России умер? Да будет LTE! Intel раскрывает секреты процессоров Ivy Bridge и откладывает их выпуск на лето |
||||||||||
|
|
||||||||||||
| |
|
|||||||||||